重庆某半导体集成ic集成ic开发厂，晶圆加工除理环节中生成含硅、氟的特种废气，的设计除理总量1200吨/日。废气组分繁杂，含有奈米级硅颗粒物及氢氧化钠，传统性除理的办法无发符合标准。 废液成份及源于 主要污染破坏物 ：溶液硅（100-500nm粒度分布）、氟铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 渠道生产工序 ：晶圆刻蚀电镀电镀废水（45%）、CMP电学自动化机械镜面抛光电镀电镀废水（40%）、机械设备清洗阴道水（15%） 外理工序过程 创新科技采用了"电化学滤渣+重型膜破乳"科技线路： 钙盐沉淀自己 ：加药氯化钙快速清理氟亚铁离子（制成CaF2凝固） 斜板沉淀池症状 ：混合斜管沉淀池剂保证 橡胶胶体部分硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm直径膜挪用微细小粒 反侵入操作系统 ：脱盐率>98%，回报率75% 蒸发掉结晶体 ：浓水段实现目标氟化物零废气 最后效用 氟化物酸度：<8mg/L（不超政府五级细则10mg/L） 硅含碳量：<5mg/L 水成本使用率：70%中用冷去塔补水保湿 垃圾回收利用：减压蒸馏杂质量较过去的工艺设备才能减少60%